首页> 外文OA文献 >Floating Electrode Electrowetting on Hydrophobic Dielectric with an SiO2 Layer
【2h】

Floating Electrode Electrowetting on Hydrophobic Dielectric with an SiO2 Layer

机译:二氧化硅对疏水介质的浮动电极电润湿   层

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

Floating electrode electrowetting is caused by dc voltage applied to a liquiddroplet on the Cytop surface, without electrical connection to the substrate.The effect is caused by the charge separation in the floating electrode. Ahighly-resistive thermally-grown SiO2 layer underneath the Cytop enables thedroplet to hold charges without leakage, which is the key contribution.Electrowetting with an SiO2 layer shows a memory effect, where the wettingangle stays the same after the auxiliary electrode is removed from the dropletin both conventional and floating electrode electrowetting. Floating electrodeelectrowetting provides an alternative configuration for developing advancedelectrowetting-based devices.
机译:浮动电极电润湿是由施加到Cytop表面液滴上的直流电压引起的,而没有与基板的电连接,其影响是由浮动电极中的电荷分离引起的。 Cytop下方的高电阻热生长SiO2层使液滴能够保持电荷而不会泄漏,这是关键的作用.SiO2层的电渗析显示出记忆效应,其中从液滴上除去辅助电极后的润湿角保持不变常规和浮动电极电润湿。浮置电极电润湿为开发基于高级电润湿的设备提供了一种替代配置。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号